Транзистор P-MOSFET Vishay SI4401FDY-T1-GE3, TrenchFET, SO8, 20 шт.
2 480 ₴
- В наявності
- Код: TM206084
Транзистор P-MOSFET Vishay SI4401FDY-T1-GE3, TrenchFET, SO8, 20 шт.В наявності
2 480 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
P-канальний польовий транзистор Vishay SI4401FDY-T1-GE3 у корпусі SO8. Це компонент технології TrenchFET® з максимальним струмом стоку -11 А та опором відкритого каналу 18,3 мОм.
- Тип монтажу: поверхневий (SO8)
- Максимальна потужність розсіювання: 3,2 Вт
- Опір у відкритому стані (Rds): 18,3 мОм
- Максимально допустима напруга затвор-витік: 20 В
- Технологія: TrenchFET®
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Електричні параметри
Транзистор має максимальну напругу затвор-витік 20 В та максимальну потужність розсіювання 3,2 Вт. Згідно з даними магазину, імпульсний струм стоку становить -80 А, а заряд затвора — 31 нКл. Канал транзистора є збагачуваним (enhancement mode), що визначає його робочі характеристики.
Конструкція та монтаж
Компонент виготовлений у поверхневому корпусі SO8. Використовується технологія TrenchFET®, яка є ключовою особливістю цієї моделі.
Комплектація
У комплекті постачається 20 шт. транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Максимальна потужність розсіювання | 3.2 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 18.3 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | SO8 |
| Технологія | TrenchFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 480 ₴