Транзистор N-MOSFET Vishay SI4178DY-T1-GE3, 30 В, 6,7 А, SO8 (набір 30 шт.)

Транзистор N-MOSFET Vishay SI4178DY-T1-GE3 — це польовий транзистор з каналом збагачення, виконаний у корпусі SO8. Прилад розрахований на максимальну напругу стік-витік 30 В та струм стоку 6,7 А.

• Тип транзистора: польовий (N-MOSFET)
• Максимальна напруга стік-витік: 30 В
• Максимальний струм стоку: 6,7 А
• Опір у відкритому стані (Rds): 33 мОм
• Корпус: SO8, монтаж поверхневий
• Кількість у комплекті: 30 шт.

Електричні параметри

Максимально допустима напруга стік-витік становить 30 В, а напруга затвор-витік — 25 В. Максимальний струм стоку дорівнює 6,7 А. Опір у відкритому стані (Rds) — 33 мОм.

Конструкція та монтаж

Транзистор виготовлений за технологією TrenchFET® і має поверхневий тип монтажу. Корпус SO8, тип монтажу — поверхневий. Максимальна потужність розсіювання — 5 Вт.

Додаткові характеристики та комплектація

Транзистор є уніполярним із каналом збагачення. Заряд затвора становить 12 нКл. У комплекті постачається 30 шт. транзисторів.