Транзистор N/P-MOSFET Vishay SI3585CDV-T1-GE3, TrenchFET, 20 В, набір 30 шт.

Транзистор N/P-MOSFET Vishay SI3585CDV-T1-GE3 — це комплементарна пара польових транзисторів у корпусі SC74 (TSOP6) з технологією TrenchFET®. Напруга стік-витік становить 20 В для N-каналу та -20 В для P-каналу, а потужність розсіювання — 0,9 Вт або 8 Вт залежно від режиму роботи.

• Тип: комплементарна пара N/P-MOSFET
• Технологія: TrenchFET®
• Корпус: SC74 (TSOP6), поверхневий монтаж
• Напруга стік-витік: 20 В / -20 В
• Струм стоку: 3,1 А / -1,7 А
• Опір у стані провідності: 78 мОм / 316 мОм
• Потужність розсіювання: 0,9 Вт / 8 Вт
• Кількість у наборі: 30 шт.

Електричні параметри

Компонент є уніполярним із збагачуваним каналом. Максимальний струм стоку дорівнює 3,1 А для N-каналу та -1,7 А для P-каналу. Опір у стані провідності (Rds(on)) становить 78 мОм для N-каналу та 316 мОм для P-каналу. Заряд затвора (Qg) — 4,8 нКл для N-каналу та 9 нКл для P-каналу.

Конструкція та монтаж

Транзистори виготовлені за технологією TrenchFET®. Корпус SC74 (TSOP6) призначений для поверхневого монтажу (SMD). Максимально допустима напруга затвор-витік (Vgs) становить 12 В.

Комплектація

У комплекті поставляється 30 транзисторів.