Транзистор P-MOSFET Vishay SI3483CDV-T1-GE3, TrenchFET, -30 В, -7 А, набір 20 шт.
2 650 ₴
- В наявності
- Код: TM206081
Транзистор P-MOSFET Vishay SI3483CDV-T1-GE3, TrenchFET, -30 В, -7 А, набір 20 шт.В наявності
2 650 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор P-MOSFET Vishay SI3483CDV-T1-GE3 — це польовий транзистор із каналом збагачення, виготовлений за технологією TrenchFET®. У комплекті 20 шт. Прилад має максимальну напругу затвор-витік 20 В.
- Тип транзистора: P-MOSFET, TrenchFET®
- Максимальна напруга затвор-витік: 20 В
- Максимальний струм стока: -7 А
- Опір у відкритому стані (Rds): 53 мОм
- Корпус: SC74, TSOP6 (поверхневий монтаж)
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Електричні параметри
Максимально допустима напруга затвор-витік становить ±20 В. Максимальна потужність розсіювання становить 4,2 Вт, а опір у відкритому стані (Rds) — 53 мОм.
Комплектація та монтаж
Компонент виконаний у корпусі SC74 (TSOP6) для поверхневого монтажу. Це польовий транзистор із каналом збагачення та уніполярною поляризацією. Заряд затвора становить 33 нКл. У комплекті поставляється 20 шт.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Максимальна потужність розсіювання | 4.2 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 53 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | SC74, TSOP6 |
| Технологія | TrenchFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 650 ₴