Транзистор P-MOSFET Vishay SI3457CDV-T1-GE3, 30 шт.
2 350 ₴
- В наявності
- Код: TM206080
Транзистор P-MOSFET Vishay SI3457CDV-T1-GE3, 30 шт.В наявності
2 350 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор P-MOSFET Vishay SI3457CDV-T1-GE3 — це польовий транзистор із каналом збагачення, виготовлений за технологією TrenchFET®. У комплекті 30 шт. Транзистор є уніполярним. Імпульсний струм стоку становить -20 А. Заряд затвора — 15 нКл.
- Тип транзистора: Польовий
- Максимальна потужність розсіювання: 3 Вт
- Максимально допустима напруга затвор-витік: 20 В
- Опір у відкритому стані (Rds): 113 мОм
- Корпус: SC74, TSOP6
- У комплекті: 30 шт.
Електричні параметри
Максимальна потужність розсіювання становить 3 Вт. Максимально допустима напруга затвор-витік дорівнює 20 В. Опір у відкритому стані (Rds) — 113 мОм.
Конструкція та монтаж
Корпус SC74, TSOP6. Тип монтажу — поверхневий.
Додаткові характеристики та комплектація
У комплекті 30 шт.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Максимальна потужність розсіювання | 3 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 113 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | SC74, TSOP6 |
| Технологія | TrenchFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 350 ₴