Транзистор P-MOSFET Vishay SI3407DV-T1-GE3, набір 30 шт.
1 990 ₴
- В наявності
- Код: TM206079
Транзистор P-MOSFET Vishay SI3407DV-T1-GE3, набір 30 шт.В наявності
1 990 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор P-MOSFET Vishay SI3407DV-T1-GE3 — це польовий транзистор з каналом збагачення та поверхневим монтажем. У комплекті 30 одиниць у корпусі SC74 (TSOP6). Символ виробника: SI3407DV-T1-GE3.
- Тип транзистора: польовий
- Максимальна потужність розсіювання: 4,2 Вт
- Напруга затвор-витік: 12 В
- Опір у відкритому стані: 32,7 мОм
- Корпус: SC74, TSOP6
- Кількість у комплекті: 30 шт.
Електричні параметри та струм
Максимальна потужність розсіювання становить 4,2 Вт. Максимально допустима напруга затвор-витік дорівнює 12 В. Опір у відкритому стані (Rds) — 32,7 мОм. Імпульсний струм дрену становить -25 А.
Конструкція, монтаж та заряд затвора
Транзистор має поверхневий тип монтажу та корпус SC74, TSOP6. Це польовий транзистор з каналом збагачення та уніполярною поляризацією. Заряд затвора дорівнює 63 нКл.
Комплектація та ідентифікація
У наборі 30 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Максимальна потужність розсіювання | 4.2 Вт |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 32.7 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | SC74, TSOP6 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 990 ₴