Транзистор P-MOSFET Vishay SI2393DS-T1-GE3, -30 В, -7,5 А, 2,5 Вт, SOT23 (набір 40 шт.)
2 310 ₴
- В наявності
- Код: TM206078
Транзистор P-MOSFET Vishay SI2393DS-T1-GE3, -30 В, -7,5 А, 2,5 Вт, SOT23 (набір 40 шт.)В наявності
2 310 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Польовий транзистор P-MOSFET Vishay SI2393DS-T1-GE3, виконаний за технологією TrenchFET®, у корпусі SOT23 для поверхневого монтажу. Напруга стік-витік становить -30 В, струм стоку становить -7,5 А, потужність розсіювання — 2,5 Вт. У комплекті 40 шт.
- Напруга стік-витік: -30 В
- Струм стоку: -7,5 А
- Потужність розсіювання: 2,5 Вт
- Опір у відкритому стані: 33 мОм
- Корпус: SOT23
- Кількість у комплекті: 40 шт.
Електричні параметри
Опір у відкритому стані (Rds) — 33 мОм. Імпульсний струм стоку становить -50 А. Заряд затвора — 25,2 нКл.
Тип транзистора
Транзистор уніполярний, канал P-типу, режим роботи каналу — збагачення.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Максимальна потужність розсіювання | 2.5 Вт |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 33 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 40 шт. |
| Корпус | SOT23 |
| Технологія | TrenchFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 310 ₴