Транзистор P-MOSFET Vishay SI2333CDS-T1-E3, SOT23, 2.5 Вт, 8 В (набір 20 шт.)

Транзистор P-MOSFET Vishay SI2333CDS-T1-E3 — це польовий транзистор з каналом збагачення та технологією TrenchFET®. Пристрій виконаний у корпусі SOT23 для поверхневого монтажу та має максимальну потужність розсіювання 2.5 Вт.

• Тип транзистора: Польовий (P-MOSFET)
• Корпус: SOT23
• Максимальна потужність розсіювання: 2.5 Вт
• Максимально допустима напруга затвор-витік: 8 В
• Опір у відкритому стані (Rds): 35 mOm
• Технологія: TrenchFET®
• Кількість у комплекті: 20 шт.

Електричні параметри

Максимально допустима напруга затвор-витік становить 8 В. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 35 mOm. Максимальна потужність розсіювання обмежена значенням 2.5 Вт.

Конструкція та монтаж

Транзистор виготовлений за технологією TrenchFET®. Корпус SOT23 призначений для поверхневого монтажу (SMD).

Додаткові характеристики та комплектація

У комплекті поставляється 20 шт. транзисторів. Канал транзистора є збагачуваним (wzbogacany), а полярність — уніполярною. Імпульсний струм стоку становить -20 А, а заряд затвора — 25 нКл.