Транзистор P-MOSFET Vishay SI2329DS-T1-GE3, -8 В, -6 А, 1,6 Вт, SOT23 (набір 30 шт.)
2 470 ₴
- В наявності
- Код: TM206074
Транзистор P-MOSFET Vishay SI2329DS-T1-GE3, -8 В, -6 А, 1,6 Вт, SOT23 (набір 30 шт.)В наявності
2 470 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Польовий транзистор P-MOSFET Vishay SI2329DS-T1-GE3 у корпусі SOT23 для поверхневого монтажу. Напруга стік-витік становить -8 В, струм стоку становить -6 А, потужність розсіювання — 1,6 Вт. У комплекті 30 шт.
- Напруга стік-витік: -8 В
- Струм стоку: -6 А
- Потужність розсіювання: 1,6 Вт
- Опір у відкритому стані: 30 мОм
- Корпус: SOT23
- Кількість у комплекті: 30 шт.
Електричні параметри
Опір у відкритому стані (Rds) — 30 мОм. Максимально допустима напруга затвор-витік — 5 В. Заряд затвора — 11,8 нКл.
Тип транзистора
Транзистор уніполярний, канал P-типу, режим роботи каналу — збагачення.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Максимальна потужність розсіювання | 1.6 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 5 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 30 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | SOT23 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 470 ₴