Транзистор P-MOSFET Vishay SI2319DDS-T1-GE3, SOT23, 30 шт.
2 240 ₴
- В наявності
- Код: TM206072
Транзистор P-MOSFET Vishay SI2319DDS-T1-GE3, SOT23, 30 шт.В наявності
2 240 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор P-MOSFET Vishay SI2319DDS-T1-GE3 у корпусі SOT23. Це польовий транзистор із каналом збагачення, призначений для поверхневого монтажу. У комплекті 30 одиниць.
- Тип транзистора: Польовий (P-MOSFET)
- Корпус: SOT23
- Максимальна потужність: 1,7 Вт
- Напруга затвор-витік: 20 В
- Опір Rds: 100 мОм
- Кількість у комплекті: 30 шт.
Електричні параметри
Максимальна потужність розсіювання становить 1,7 Вт. Максимально допустима напруга затвор-витік дорівнює 20 В. Опір у відкритому стані (Rds) — 100 мОм.
Конструкція та монтаж
Транзистор виготовлений за технологією TrenchFET®. Корпус: SOT23. Тип монтажу — поверхневий (SMD).
Комплектація
У наборі 30 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Максимальна потужність розсіювання | 1.7 Вт |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 100 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | SOT23 |
| Технологія | TrenchFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 240 ₴