Транзистор N-MOSFET x2 VISHAY SI1902CDL-T1-GE3, 20 В, 0,9 А, 0,27 Вт, SOT363 (набір 40 шт.)
1 990 ₴
- В наявності
- Код: TM206070
Транзистор N-MOSFET x2 VISHAY SI1902CDL-T1-GE3, 20 В, 0,9 А, 0,27 Вт, SOT363 (набір 40 шт.)В наявності
1 990 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Польовий транзистор VISHAY SI1902CDL-T1-GE3 — два N-MOSFET у корпусі SC70-6 (SOT363), монтаж — поверхневий (SMD). Максимально допустима напруга стік–витік — 20 В, струм стоку — 0,9 А, потужність розсіювання — 0,27 Вт. У наборі 40 шт.
- Тип: N-MOSFET x2
- Напруга стік–витік: 20 В
- Струм стоку: 0,9 А
- Потужність розсіювання: 0,27 Вт
- Опір у відкритому стані: 235 мОм
- Корпус: SC70-6 (SOT363), SMD
Електричні параметри
Максимально допустима напруга затвор–витік — ±12 В. Опір у відкритому стані — 235 мОм. Заряд затвора — 2 нКл.
Тип каналу
Тип каналу — індукований (режим збагачення), транзистор уніполярний.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.27 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 12 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 20 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 0.9 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 235 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 40 шт. |
| Корпус | SC70-6, SOT363 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 990 ₴