Транзистор N/P-MOSFET VISHAY SI1553CDL-T1-GE3, TrenchFET®, 20/-20 В, 0,34 Вт, SOT363 (набір 40 шт.)
2 310 ₴
- В наявності
- Код: TM206069
Транзистор N/P-MOSFET VISHAY SI1553CDL-T1-GE3, TrenchFET®, 20/-20 В, 0,34 Вт, SOT363 (набір 40 шт.)В наявності
2 310 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Польовий транзистор N/P-MOSFET VISHAY SI1553CDL-T1-GE3, технологія TrenchFET®, корпус SC70-6 (SOT363), монтаж — поверхневий (SMD). Максимальна потужність розсіювання — 0,34 Вт. У наборі 40 шт.
- Тип: N/P-MOSFET, TrenchFET®
- Напруга стік–витік: 20/-20 В
- Струм стоку: 0,7/-0,5 А
- Потужність розсіювання: 0,34 Вт
- Корпус: SC70-6 (SOT363), SMD
- Кількість у наборі: 40 шт.
Електричні параметри
Напруга стік–витік — 20/-20 В, струм стоку — 0,7/-0,5 А. Максимально допустима напруга затвор–витік — ±12 В. Опір у відкритому стані — 1,35/1,13 Ом. Заряд затвора — 3/1,8 нКл.
Тип каналу
Тип каналу — індукований (режим збагачення), транзистор уніполярний.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.34 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 12 В |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 40 шт. |
| Корпус | SC70-6, SOT363 |
| Технологія | TrenchFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 310 ₴