Транзистор N-MOSFET Vishay SI1062X-T1-GE3, 20 В, 0,53 А, набір 60 шт.

Транзистор N-MOSFET Vishay SI1062X-T1-GE3 — це польовий транзистор із каналом збагачення, виконаний за технологією TrenchFET®. Прилад призначений для поверхневого монтажу в корпусі SC89 (SOT563) та поставляється комплектом із 60 штук.

• Тип транзистора: N-MOSFET, польовий, канал збагачення
• Максимальна напруга стік-витік: 20 В
• Максимальний струм стоку: 0,53 А
• Опір у відкритому стані (Rds): 762 мОм
• Корпус: SC89 (SOT563), поверхневий монтаж
• Кількість у комплекті: 60 шт.

Електричні параметри

Транзистор має максимальну напругу стік-витік 20 В та максимально допустимий струм стоку 0,53 А. Опір у відкритому стані (Rds) становить 762 мОм, що визначає його провідність при повному відкритті. Максимальна потужність розсіювання обмежена значенням 0,22 Вт, а напруга затвор-витік не повинна перевищувати 8 В.

Технологія та корпус

Компонент виготовлений за технологією TrenchFET®. Корпус SC89 (SOT563) реалізує поверхневий тип монтажу. Полярність транзистора — уніполярна, канал — збагачений (N-тип).

Додаткові параметри

Максимальний струм стоку в імпульсі становить 2 А. Заряд затвора дорівнює 2,7 нКл. У комплекті постачається 60 транзисторів.