Транзистор N/P-MOSFET ROHM SH8M41TB1, 80 В, 3.4 А, SOP8 (набір 20 шт.)

Транзистор N/P-MOSFET від ROHM SEMICONDUCTOR, модель SH8M41TB1. Це польові транзистори N- та P-каналу у корпусі SOP8 для поверхневого монтажу.

• Тип транзистора: Польовий (MOSFET)
• Максимальна потужність розсіювання: 2 Вт
• Максимально допустима напруга затвор-витік: 20 В
• Тип монтажу: Поверхневий
• Корпус: SOP8
• Кількість у комплекті: 20 шт.

Електричні параметри

Транзистори мають максимальну напругу затвор-витік 20 В та напругу стік-витік 80 В (для N-каналу) і -80 В (для P-каналу). Максимальний струм стоку становить 3,4 А для N-каналу та -2,6 А для P-каналу. Максимальна потужність розсіювання дорівнює 2 Вт.

Конструкція та монтаж

Компоненти виконані в корпусі SOP8 з типом монтажу «Поверхневий». Канали транзисторів є збагачуваними (enhancement mode), а полярність — уніполярною.

Комплектація

У комплекті поставляється 20 транзисторів.