Транзистор N-MOSFET SiC STMicroelectronics SCTW35N65G2V, 650 В, 45 А, 240 Вт (3 шт.)

Транзистор N-MOSFET від STMicroelectronics, модель SCTW35N65G2V, виготовлений за технологією SiC. Пристрій має максимальну напругу стік-витік 650 В та струм стоку 45 А. У комплекті поставляється 3 штуки.

• Тип транзистора: N-MOSFET, технологія SiC
• Максимальна напруга стік-витік: 650 В
• Максимальний струм стоку: 45 А
• Максимальна потужність розсіювання: 240 Вт
• Опір у відкритому стані (Rds): 68 мОм
• Корпус: HIP247™, монтаж вставний
• Кількість у комплекті: 3 шт.

Електричні параметри

Транзистор є польовим (MOSFET) з каналом типу N та технологією карбіду кремнію (SiC). Максимально допустима напруга стік-витік становить 650 В, а напруга затвор-витік — 22 В. Максимальний струм стоку дорівнює 45 А, а максимальна потужність розсіювання — 240 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) зазначений як 68 мОм.

Конструкція та монтаж

Компонент виконаний у корпусі HIP247™. Тип монтажу — вставний. Транзистор є уніполярним.

Комплектація

У наборі знаходиться 3 транзистори. Символ виробника: SCTW35N65G2V. Імпульсний струм стоку (Idm) становить 90 А. Заряд затвора дорівнює 73 нКл. Канал транзистора — збагачуваний.