Транзистор N-MOSFET SiC STMicroelectronics SCT50N120, 1200 В, 50 А, 318 Вт

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics SCT50N120 виготовлений за технологією SiC (карбід кремнію). Пристрій має максимальну напругу стік-витік 1200 В, струм стоку 50 А та потужність розсіювання 318 Вт.

• Технологія SiC (карбід кремнію)
• Максимальна напруга стік-витік: 1200 В
• Максимальний струм стоку: 50 А
• Потужність розсіювання: 318 Вт
• Опір у відкритому стані: 70 мОм
• Корпус: HIP247™

Електричні параметри

Максимально допустима напруга затвор-витік становить 25 В, а напруга стік-витік — 1200 В. Максимальний постійний струм стоку дорівнює 50 А, імпульсний струм — 130 А. Опір у відкритому стані (Rds) — 70 мОм, заряд затвора — 122 нКл.

Конструкція та монтаж

Транзистор виконаний у корпусі HIP247™ з вставним типом монтажу. Канал типу «wzbogacany» (збагачений), поляризація — уніполярна. Максимальна потужність розсіювання — 318 Вт.