Транзистор N-MOSFET SMC DIODE SOLUTIONS S2M0160120J SiC 1,2kV 11A (набір 5 шт.)
2 870 ₴
- В наявності
- Код: TM205881
Транзистор N-MOSFET SMC DIODE SOLUTIONS S2M0160120J SiC 1,2kV 11A (набір 5 шт.)В наявності
2 870 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET від бренду SMC DIODE SOLUTIONS, модель S2M0160120J. Це польовий транзистор на основі технології SiC (карбід кремнію) у корпусі D2PAK-7 для поверхневого монтажу.
- Технологія SiC (карбід кремнію)
- Максимальна напруга: 1,2 кВ
- Струм стоку: 11 А (імпульсний 40 А)
- Потужність розсіювання: 122 Вт
- Корпус D2PAK-7 для поверхневого монтажу
- У комплекті 5 транзисторів
Електричні параметри
Максимальна напруга стік-витік становить 1,2 кВ. Максимально допустимий струм стоку — 11 А, а імпульсний струм стоку досягає 40 А. Максимальна потужність розсіювання дорівнює 122 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) — 300 мОм.
Конструкція та монтаж
Транзистор виготовлений за технологією SiC (карбід кремнію). Корпус D2PAK-7 призначений для поверхневого монтажу (SMD). Канал транзистора — збагачуваний, полярність — уніполярна. Конструкція передбачає виведення Кельвіна.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 122 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 11 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 300 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | D2PAK-7 |
| Виробник | SMC DIODE SOLUTIONS |
| Технологія | SiC |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 870 ₴