Транзистор N-MOSFET SMC DIODE SOLUTIONS S2M0120120K, SiC, 156 Вт, 15 А (набір 5 шт.)

Транзистор N-MOSFET від бренду SMC DIODE SOLUTIONS, модель S2M0120120K. Це польовий транзистор на основі технології SiC з максимальною потужністю розсіювання 156 Вт та струмом стоку 15 А. У комплекті поставляється 5 штук.

• Тип транзистора: польовий N-MOSFET
• Технологія: SiC (карбід кремнію)
• Максимальна потужність: 156 Вт
• Струм стоку: 15 А
• Корпус: TO247-4
• Кількість у комплекті: 5 шт.

Електричні параметри

Транзистор має максимальну потужність розсіювання 156 Вт. Максимально допустимий струм стоку становить 15 А, а напруга затвор-витік — 20 В. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 212 мОм.

Конструкція та монтаж

Виріб виготовлений за технологією SiC (карбід кремнію). Корпус виконаний у форматі TO247-4. Тип монтажу — вставний.

Додаткові характеристики та комплектація

У наборі міститься 5 транзисторів. Імпульсний струм стоку (Idm) становить 66 А, а заряд затвора — 29,6 нКл. Корпус оснащений виведенням Кельвіна, канал типу збагачуваний, полярність — уніполярна.