Транзистор N-MOSFET SMC DIODE SOLUTIONS S2M0120120J, SiC, 1,2 кВ, 15 А, D2PAK-7 (набір 5 шт.)
2 510 ₴
- В наявності
- Код: TM205879
Транзистор N-MOSFET SMC DIODE SOLUTIONS S2M0120120J, SiC, 1,2 кВ, 15 А, D2PAK-7 (набір 5 шт.)В наявності
2 510 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET SMC DIODE SOLUTIONS S2M0120120J — уніполярний польовий транзистор із каналом N, виготовлений за технологією SiC (карбід кремнію). Напруга стік-витік — 1,2 кВ, струм стоку — 15 А. У наборі 5 шт.
- Напруга стік-витік: 1,2 кВ
- Струм стоку: 15 А
- Імпульсний струм стоку: 66 А
- Розсіювана потужність: 153 Вт
- Опір у стані провідності: 212 мОм
- Корпус: D2PAK-7
Електричні параметри
Імпульсний струм стоку становить 66 А, розсіювана потужність — 153 Вт. Опір у стані провідності — 212 мОм. Максимально допустима напруга затвор-витік — 20 В. Заряд затвора — 29,6 нКл. Канал — індукований (режим збагачення).
Корпус і монтаж
Корпус — D2PAK-7, монтаж — поверхневий (SMD). Транзистор має вивід Кельвіна.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 153 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 15 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 212 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | D2PAK-7 |
| Виробник | SMC DIODE SOLUTIONS |
| Технологія | SiC |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 510 ₴