Транзистор N-MOSFET SMC DIODE SOLUTIONS S2M0080120D, SiC, 1,2 кВ, 29 А (2 шт.)

Транзистор N-MOSFET від бренду SMC DIODE SOLUTIONS, модель S2M0080120D. Це напівпровідниковий прилад на основі карбіду кремнію (SiC) з максимальним струмом стоку 29 А та напругою 1,2 кВ. У комплекті поставляється 2 штуки.

• Тип транзистора: польовий N-MOSFET
• Технологія виготовлення: SiC (карбід кремнію)
• Максимальний струм стоку: 29 А
• Максимальна потужність розсіювання: 231 Вт
• Опір у відкритому стані (Rds): 137 мОм
• Корпус: TO247-3
• Кількість у комплекті: 2 шт.

Електричні параметри та струм

Прилад є польовим транзистором з каналом збагачення та уніполярною полярністю. Максимально допустима напруга затвор-витік становить 20 В. Максимальний струм стоку дорівнює 29 А, а струм у імпульсі — 82 А. Опір у відкритому стані (Rds) становить 137 мОм.

Потужність та заряд затвора

Максимальна потужність розсіювання транзистора становить 231 Вт. Заряд затвора дорівнює 54 нКл. Виробник використовує технологію SiC (карбід кремнію).

Корпус та монтаж

Корпус виконаний у форматі TO247-3. Монтаж здійснюється вставним способом. У наборі знаходиться 2 транзистори.