Кошик
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- інтернет магазин
Кошик

Транзистор N-MOSFET SMC DIODE SOLUTIONS S2M0040120K-1, SiC, 1200 В, 55 А (2 шт.)

3 620 ₴

  • В наявності
  • Код: TM205877
Транзистор N-MOSFET SMC DIODE SOLUTIONS S2M0040120K-1, SiC, 1200 В, 55 А (2 шт.)
Транзистор N-MOSFET SMC DIODE SOLUTIONS S2M0040120K-1, SiC, 1200 В, 55 А (2 шт.)В наявності
3 620 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Транзистор N-MOSFET від бренду SMC DIODE SOLUTIONS, модель S2M0040120K-1. Це польовий транзистор на основі карбіду кремнію (SiC) з максимальним струмом стоку 55 А та напругою 1200 В. У комплекті поставляється 2 штуки.

  • Тип транзистора: N-MOSFET (польовий)
  • Технологія: SiC (карбід кремнію)
  • Максимальний струм стоку: 55 А
  • Максимальна потужність розсіювання: 320,5 Вт
  • Опір у відкритому стані (Rds): 40 мОм
  • Корпус: TO247-4
  • Кількість у комплекті: 2 шт.

Електричні параметри

Транзистор працює з максимальною напругою затвор-витік 20 В та витримує імпульсний струм до 160 А. Максимальна потужність розсіювання становить 320,5 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 40 мОм.

Конструкція та монтаж

Виріб виготовлений за технологією SiC у корпусі TO247-4. Тип монтажу — вставний. Транзистор є уніполярним з каналом збагачення та має виведення Кельвіна. Заряд затвора становить 118 нКл.

Характеристики
Основні
Максимальна потужність розсіювання320.5 Вт
Максимально допустима напруга затвор-витік20 В
Максимально допустимий струм стоку55 А
Опір у відкритому стані (Rds)40 mOm
Тип монтажуВставний
Тип транзистораПольовий
Додаткові характеристики
СтанНовий
Користувальницькі характеристики
Гарантійний термін12 міс
Кількість у комплекті2 шт.
КорпусTO247-4
ВиробникSMC DIODE SOLUTIONS
ТехнологіяSiC
Інформація для замовлення
  • Ціна: 3 620 ₴