
Транзистор N-MOSFET SMC DIODE SOLUTIONS S2M0040120K-1, SiC, 1200 В, 55 А (2 шт.)
3 620 ₴
- В наявності
- Код: TM205877
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET від бренду SMC DIODE SOLUTIONS, модель S2M0040120K-1. Це польовий транзистор на основі карбіду кремнію (SiC) з максимальним струмом стоку 55 А та напругою 1200 В. У комплекті поставляється 2 штуки.
- Тип транзистора: N-MOSFET (польовий)
- Технологія: SiC (карбід кремнію)
- Максимальний струм стоку: 55 А
- Максимальна потужність розсіювання: 320,5 Вт
- Опір у відкритому стані (Rds): 40 мОм
- Корпус: TO247-4
- Кількість у комплекті: 2 шт.
Електричні параметри
Транзистор працює з максимальною напругою затвор-витік 20 В та витримує імпульсний струм до 160 А. Максимальна потужність розсіювання становить 320,5 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 40 мОм.
Конструкція та монтаж
Виріб виготовлений за технологією SiC у корпусі TO247-4. Тип монтажу — вставний. Транзистор є уніполярним з каналом збагачення та має виведення Кельвіна. Заряд затвора становить 118 нКл.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 320.5 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 55 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 40 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 2 шт. |
| Корпус | TO247-4 |
| Виробник | SMC DIODE SOLUTIONS |
| Технологія | SiC |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 620 ₴
