Транзистор N-MOSFET SMC DIODE SOLUTIONS S1M1000170D, SiC, 1,7 кВ, 3,7 А, TO247-3 (набір 10 шт.)
2 880 ₴
- В наявності
- Код: TM205866
Транзистор N-MOSFET SMC DIODE SOLUTIONS S1M1000170D, SiC, 1,7 кВ, 3,7 А, TO247-3 (набір 10 шт.)В наявності
2 880 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET SMC DIODE SOLUTIONS S1M1000170D — уніполярний польовий транзистор із каналом N, виготовлений за технологією SiC (карбід кремнію). Напруга стік-витік — 1,7 кВ, струм стоку — 3,7 А. У наборі 10 шт.
- Напруга стік-витік: 1,7 кВ
- Струм стоку: 3,7 А
- Імпульсний струм стоку: 15 А
- Розсіювана потужність: 81 Вт
- Опір у стані провідності: 1,9 Ом
- Корпус: TO247-3
Електричні параметри
Імпульсний струм стоку становить 15 А, розсіювана потужність — 81 Вт. Опір у стані провідності — 1,9 Ом. Максимально допустима напруга затвор-витік — 20 В. Заряд затвора — 10 нКл. Канал — індукований (режим збагачення).
Корпус і монтаж
Корпус — TO247-3, монтаж — вивідний (THT).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 81 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 3.7 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 1900 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO247-3 |
| Виробник | SMC DIODE SOLUTIONS |
| Технологія | SiC |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 880 ₴