P-канальний польовий транзистор ROHM RZM001P02T2L у корпусі SOT723. Тип монтажу — поверхневий, має максимальну потужність розсіювання 0,15 Вт та опір у відкритому стані 3800 мОм.
- Тип транзистора: польовий (P-MOSFET)
- Корпус: SOT723
- Максимальна потужність розсіювання: 0,15 Вт
- Опір у відкритому стані (Rds): 3800 мОм
- Максимально допустима напруга затвор-витік: 8 В
- Кількість у комплекті: 100 шт.
Електричні параметри
Транзистор є польовим (MOSFET) з каналом збагачення. Максимально допустима напруга затвор-витік становить 8 В. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 3800 мОм.
Конструкція та монтаж
Компонент виконаний у корпусі SOT723 з версією ESD. Тип монтажу — поверхневий (SMD).
Комплектація
У комплекті поставляється 100 шт.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Rohm Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.15 Вт |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 3800 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 100 шт. |
| Корпус | SOT723 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 000 ₴

