Кошик
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- інтернет магазин
Кошик

Транзистор P-MOSFET ROHM SEMICONDUCTOR RSJ250P10FRATL, -100 В, -25 А, TO263 (набір 10 шт.)

2 270 ₴

  • В наявності
  • Код: TM205847
Транзистор P-MOSFET ROHM SEMICONDUCTOR RSJ250P10FRATL, -100 В, -25 А, TO263 (набір 10 шт.)
Транзистор P-MOSFET ROHM SEMICONDUCTOR RSJ250P10FRATL, -100 В, -25 А, TO263 (набір 10 шт.)В наявності
2 270 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Транзистор P-MOSFET ROHM SEMICONDUCTOR RSJ250P10FRATL — уніполярний польовий транзистор із P-каналом у корпусі TO263, монтаж поверхневий. Напруга сток-витік — -100 В, струм стоку — -25 А. У наборі 10 шт.

  • Напруга сток-витік: -100 В
  • Струм стоку: -25 А
  • Імпульсний струм стоку: -50 А
  • Потужність розсіювання: 50 Вт
  • Опір у відкритому стані: 63 мОм
  • Корпус: TO263

Електричні параметри

Імпульсний струм стоку (Idm) — -50 А. Максимальна потужність розсіювання — 50 Вт. Максимально допустима напруга затвор-витік — 20 В. Опір у відкритому стані (Rds) — 63 мОм. Заряд затвора — 60 нКл.

Тип каналу, версія та застосування

Канал транзистора — збагачуваного типу. Версія — ESD. Застосування за даними TME — автомобільна галузь.

Характеристики
Основні
ВиробникRohm Semiconductor
Максимальна потужність розсіювання50 Вт
Максимально допустима напруга затвор-витік20 В
Опір у відкритому стані (Rds)63 mOm
Тип монтажуПоверхневий
Тип транзистораПольовий
Додаткові характеристики
СтанНовий
Користувальницькі характеристики
ВерсіяESD
Гарантійний термін12 міс
Кількість у комплекті10 шт.
КорпусTO263
Інформація для замовлення
  • Ціна: 2 270 ₴