Транзистор N-MOSFET ROHM RJP020N06T100, 60В, 2А, MPT3 (набір 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET ROHM RJP020N06T100 — це польовий транзистор з каналом збагачення та поверхневим монтажем. Модель розрахована на максимальну напругу стік-витік 60 В та струм стоку 2 А при потужності розсіювання 2 Вт.

• Тип транзистора: N-MOSFET (польовий)
• Максимальна напруга стік-витік: 60 В
• Максимальний струм стоку: 2 А
• Потужність розсіювання: 2 Вт
• Корпус: MPT3 (поверхневий монтаж)
• Опір у відкритому стані: 300 мОм
• Кількість у комплекті: 20 шт.

Електричні параметри

Транзистор має максимальну напругу стік-витік 60 В та максимально допустимий струм стоку 2 А. Напруга затвор-витік обмежена значенням 12 В. Опір у відкритому стані (Rds) становить 300 мОм, що визначає втрати при пропусканні струму.

Конструкція та монтаж

Компонент виконаний у корпусі MPT3 з поверхневим типом монтажу (SMD). Це польовий транзистор з каналом збагачення (enhancement mode). Максимальна потужність розсіювання дорівнює 2 Вт.

Додаткові характеристики з джерела магазину

Згідно з даними магазину, імпульсний струм стоку (Idm) становить 8 А, а заряд затвора — 5 нКл. Транзистор є уніполярним. У наборі постачається 20 шт. транзисторів.