
Транзистор IGBT ROHM SEMICONDUCTOR RGS60TS65DHRC11, 650 В, 30 А, 111 Вт, TO247-3 (набір 3 шт.)
2 140 ₴
- В наявності
- Код: TM205645
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор IGBT ROHM SEMICONDUCTOR RGS60TS65DHRC11 у корпусі TO247-3 з монтажем THT. У наборі 3 шт.
- Тип: IGBT
- Напруга колектор-емітер: 650 В
- Струм колектора: 30 А
- Розсіювана потужність: 111 Вт
- Напруга затвор-емітер: ±30 В
- Корпус: TO247-3, THT
Електричні параметри
Напруга колектор-емітер — 650 В. Струм колектора — 30 А. Розсіювана потужність — 111 Вт. Напруга затвор-емітер — ±30 В. Заряд затвора — 36 нКл. Особливість за даними TME: вбудований антипаралельний діод.
Час перемикання
Час увімкнення — 46 нс, час вимкнення — 290 нс.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Rohm Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 111 Вт |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 650 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 30 А |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 3 шт. |
| Корпус | TO247-3 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 140 ₴
