Транзистор N-MOSFET ONSEMI RFD3055LESM9A, 60 В, 11 А, 38 Вт, DPAK (набір 40 шт.)
2 270 ₴
- В наявності
- Код: TM205642
Транзистор N-MOSFET ONSEMI RFD3055LESM9A, 60 В, 11 А, 38 Вт, DPAK (набір 40 шт.)В наявності
2 270 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI RFD3055LESM9A — уніполярний транзистор у корпусі DPAK з поверхневим монтажем (SMD). У наборі 40 шт.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний
- Напруга стік-витік: 60 В
- Струм стоку: 11 А
- Розсіювана потужність: 38 Вт
- Опір у відкритому стані: 0,107 Ом
- Корпус: DPAK (SMD)
Електричні параметри
Напруга стік-витік — 60 В. Струм стоку — 11 А. Розсіювана потужність — 38 Вт. Напруга затвор-витік — ±16 В. Опір у відкритому стані — 0,107 Ом. Заряд затвора — 11,3 нКл. Тип каналу — збагачений.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 38 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 16 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 11 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 107 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 40 шт. |
| Корпус | DPAK |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 270 ₴