Транзистор N-MOSFET ONSEMI RFD12N06RLESM9A, 60 В, 8 А, DPAK (набір 20 шт.)
2 940 ₴
- В наявності
- Код: TM205641
Транзистор N-MOSFET ONSEMI RFD12N06RLESM9A, 60 В, 8 А, DPAK (набір 20 шт.)В наявності
2 940 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET від бренду ONSEMI, модель RFD12N06RLESM9A. Це польовий транзистор у корпусі DPAK із максимальним струмом стоку 8 А та напругою стік-витік 60 В.
- Тип транзистора: N-MOSFET (польовий)
- Максимальна напруга стік-витік: 60 В
- Максимальний струм стоку: 8 А
- Потужність розсіювання: 49 Вт
- Опір у відкритому стані: 75 мОм
- Корпус: DPAK, монтаж поверхневий
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Електричні параметри
Транзистор працює з максимально допустимою напругою стік-витік 60 В та напругою затвор-витік 16 В. Максимальний струм стоку становить 8 А, а потужність розсіювання — 49 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 75 мОм.
Конструкція та монтаж
Компонент виготовлений за технологією UltraFET® у корпусі типу DPAK. Тип монтажу — поверхневий (SMD). Транзистор є уніполярним із каналом типу «wzbogacany» (збагачений).
Комплектація
У наборі постачається 20 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 49 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 16 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 8 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 75 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технологія | UltraFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 940 ₴