Транзистор N-MOSFET NEXPERIA PSMN4R4-80BS, 80В/100А, набір 10 шт (PSMN4R4-80BS,118)

Транзистор N-MOSFET NEXPERIA PSMN4R4-80BS,118 — це польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для роботи під напругою до 80 В та струмом стоку до 100 А. У комплекті поставляється 10 одиниць у корпусі D2PAK (SOT404).

• Тип транзистора: Польовий (N-MOSFET)
• Максимальна напруга стік-витік: 80 В
• Максимальний струм стоку: 100 А
• Опір у відкритому стані (Rds): 9.12 мОм
• Корпус: D2PAK (SOT404), поверхневий монтаж
• Кількість у наборі: 10 шт.

Електричні параметри

Максимальна напруга стік-витік становить 80 В, а максимально допустимий струм стоку — 100 А. Імпульсний струм дренажу (Idm) становить 680 А. Максимальна потужність розсіювання дорівнює 306 Вт, а опір у відкритому стані (Rds) — 9.12 мОм.

Конструкція та монтаж

Транзистор виконаний у поверхневому монтажі (SMD) у корпусі D2PAK, також відомому як SOT404. Тип монтажу — поверхневий. Поляризація транзистора — уніполярна, канал — збагачуваний (enhancement mode).

Комплектація

У наборі міститься 10 транзисторів. Кількість у комплекті вказана як 10 шт.