Транзистор N-MOSFET Nexperia PSMN3R9-60PSQ, 60В, 130А, набір 10 шт.
2 640 ₴
- В наявності
- Код: TM205477
Транзистор N-MOSFET Nexperia PSMN3R9-60PSQ, 60В, 130А, набір 10 шт.В наявності
2 640 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Nexperia PSMN3R9-60PSQ — це польовий транзистор з каналом збагачення, розрахований на максимальну напругу стік-витік 60 В та струм стоку 130 А. У комплекті поставляється 10 штук.
- Тип транзистора: N-MOSFET (польовий)
- Максимальна напруга стік-витік: 60 В
- Максимальний струм стоку: 130 А
- Потужність розсіювання: 263 Вт
- Опір у відкритому стані: 2.94 мОм
- Корпус: SOT78 (TO220AB)
- Кількість у комплекті: 10 шт.
Електричні параметри
Транзистор має максимальну потужність розсіювання 263 Вт та опір у відкритому стані (Rds) 2.94 мОм. Максимально допустима напруга затвор-витік становить 20 В, а заряд затвора — 103 нКл. Імпульсний струм стоку (Idm) може досягати 705 А.
Конструкція та монтаж
Компонент виконаний у корпусі SOT78 (TO220AB) з вставним типом монтажу. Це уніполярний транзистор з каналом збагачення (enhancement mode).
Комплектація
У наборі 10 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 263 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 130 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 2.94 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | SOT78, TO220AB |
| Виробник | NEXPERIA |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 640 ₴