Транзистор N-MOSFET Nexperia PSMN1R1-30PL, 30В, 120А, 338Вт (PSMN1R1-30PL,127) — набір 5 шт.
2 060 ₴
- В наявності
- Код: TM205476
Транзистор N-MOSFET Nexperia PSMN1R1-30PL, 30В, 120А, 338Вт (PSMN1R1-30PL,127) — набір 5 шт.В наявності
2 060 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
N-MOSFET транзистор Nexperia PSMN1R1-30PL — напівпровідниковий прилад з каналом збагачення. Модель розрахована на максимальну напругу стік-витік 30 В та струм стоку 120 А при потужності розсіювання 338 Вт.
- Тип транзистора: N-MOSFET (польовий)
- Максимальна напруга стік-витік: 30 В
- Максимальний струм стоку: 120 А
- Потужність розсіювання: 338 Вт
- Опір у відкритому стані (Rds): 1.8 мОм
- Корпус: SOT78, TO220AB
- Кількість у комплекті: 5 шт.
Електричні параметри
Транзистор працює з максимально допустимою напругою стік-витік 30 В та напругою затвор-витік 20 В. Максимально допустимий струм стоку становить 120 А, а опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 1.8 мОм. Заряд затвора становить 243 нКл.
Конструкція та монтаж
Прилад виконаний у корпусі SOT78 (TO220AB) з вставним типом монтажу. Це польовий транзистор з уніполярною структурою та збагачуваним каналом. Імпульсний струм дренажу (Idm) може досягати 1609 А.
Комплектація
У наборі постачається 5 шт. транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 338 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 120 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 1.8 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | SOT78, TO220AB |
| Виробник | NEXPERIA |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 060 ₴