Транзистор P-MOSFET PanJit PJS6421-S1, SOT23-6, 2 Вт, -20 В (набір 60 шт.) (PJS6421_S1_00001)

Транзистор P-MOSFET PanJit PJS6421-S1 у корпусі SOT23-6. Це польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для поверхневого монтажу. У комплекті 60 одиниць.

• Тип транзистора: польовий (P-MOSFET)
• Корпус: SOT23-6
• Максимальна потужність: 2 Вт
• Напруга затвор-витік: 10 В
• Опір у відкритому стані: 40 мОм
• Кількість у комплекті: 60 шт.

Електричні параметри

Максимальна потужність розсіювання становить 2 Вт. Максимально допустима напруга затвор-витік — 10 В. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 40 мОм. Згідно з даними магазину, максимальний струм у імпульсі — -29,6 А, а заряд затвора — 16,5 нКл.

Комплектація та монтаж

Транзистор виконаний у корпусі SOT23-6. Тип монтажу — поверхневий (SMD). Поляризація транзистора — уніполярна, тип каналу — збагачуваний. У комплекті поставляється 60 одиниць.