Транзистор N-MOSFET PanJit PJMF210N65EC_T0_00601, 650 В, 19 А, ITO220AB (набір 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET PanJit PJMF210N65EC_T0_00601 — це польовий транзистор з каналом збагачення у корпусі ITO220AB. Пристрій розрахований на максимальну напругу стік-витік 650 В та струм стоку 19 А.

• Тип транзистора: N-MOSFET (польовий)
• Максимальна напруга стік-витік: 650 В
• Максимальний струм стоку: 19 А
• Опір у відкритому стані (Rds): 210 мОм
• Корпус: ITO220AB
• Кількість у комплекті: 10 шт.

Електричні параметри

Транзистор має максимальну напругу стік-витік 650 В та максимально допустимий струм стоку 19 А. Опір у відкритому стані (Rds) становить 210 мОм, що визначає втрати при пропусканні струму. Максимальна потужність розсіювання дорівнює 32 Вт, а напруга затвор-витік обмежена 30 В.

Конструкція та монтаж

Компонент виконаний у корпусі ITO220AB із вставним типом монтажу. Це уніполярний польовий транзистор із збагачуваним каналом. Імпульсний струм дренажу може досягати 42 А, що перевищує номінальний струм стоку. Заряд затвора становить 34 нКл, що впливає на швидкість перемикання транзистора.

Імпульсні характеристики та заряд затвора

У наборі постачається 10 транзисторів.