Транзистор P-MOSFET PanJit PJD35P03-L2, 35 Вт, -30 В (PJD35P03_L2_00001) — набір 50 шт.
2 020 ₴
- В наявності
- Код: TM205361
Транзистор P-MOSFET PanJit PJD35P03-L2, 35 Вт, -30 В (PJD35P03_L2_00001) — набір 50 шт.В наявності
2 020 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
P-MOSFET транзистор PanJit PJD35P03-L2 — уніполярний польовий транзистор із каналом збагачення. Модель розрахована на максимальну розсіювану потужність 35 Вт та напругу затвор-витік 20 В.
- Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний
- Максимальна потужність розсіювання: 35 Вт
- Напруга затвор-витік: 20 В
- Опір у відкритому стані (Rds): 30 мОм
- Корпус: TO252AA, монтаж поверхневий
- Кількість у комплекті: 50 шт.
Електричні параметри
Транзистор має максимальну розсіювану потужність 35 Вт. Максимально допустима напруга затвор-витік становить 20 В. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 30 мОм. Згідно з даними виробника, пристрій працює при напрузі -30 В та струмі -35 А, з імпульсним струмом до -140 А.
Конструкція та монтаж
Компонент виконаний у корпусі TO252AA. Тип монтажу — поверхневий (SMD). Поляризація транзистора — уніполярна, тип каналу — збагачуваний.
Комплектація
У комплекті постачається 50 шт. транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Panjit |
| Максимальна потужність розсіювання | 35 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 30 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 50 шт. |
| Корпус | TO252AA |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 020 ₴