Транзистор NEXPERIA PDTB113ET,215 PNP SOT23 (набір 150 шт.)

Транзистор NEXPERIA PDTB113ET,215 — це біполярний транзистор структури PNP у корпусі SOT23 (TO236AB). Товар поставляється набором із 150 штук. Основні параметри: максимальна напруга колектор-емітер 50 В, струм колектора 0,5 А, потужність розсіювання 0,25 Вт.

• Тип транзистора: біполярний PNP
• Корпус: SOT23 (TO236AB)
• Максимальна напруга колектор-емітер: 50 В
• Максимальний струм колектора: 0,5 А
• Потужність розсіювання: 0,25 Вт
• Кількість у наборі: 150 шт.

Електричні параметри

Транзистор має максимальну напругу колектор-емітер 50 В та максимальний допустимий струм колектора 0,5 А. Максимальна потужність розсіювання становить 0,25 Вт. Це біполярний транзистор з внутрішнім зміщенням бази (BRT).

Конструкція та монтаж

Компонент виконаний у поверхневому корпусі SOT23, також відомому як TO236AB. Тип монтажу — поверхневий (SMD). У внутрішній структурі транзистора присутні резистори база та емітер-база номіналом 1 кОм кожен.

Комплектація

У комплекті знаходиться 150 транзисторів.