Транзистор N-MOSFET SHINDENGEN P16B6SB-5071, 60 В, 16 А, 20 Вт (набір 50 шт.)

Транзистор N-MOSFET SHINDENGEN P16B6SB-5071 — це польовий транзистор з каналом збагачення, виконаний у корпусі FB (TO252AA). Модель характеризується максимальною напругою стік-витік 60 В та струмом стоку 16 А при потужності розсіювання 20 Вт.

• Тип транзистора: польовий N-MOSFET
• Максимальна напруга стік-витік: 60 В
• Максимальний струм стоку: 16 А
• Потужність розсіювання: 20 Вт
• Опір у відкритому стані: 37 мОм
• Корпус: FB (TO252AA), поверхневий монтаж
• Кількість у комплекті: 50 шт.

Електричні параметри

Транзистор працює з максимальною напругою стік-витік 60 В та максимально допустимою напругою затвор-витік 20 В. Максимально допустимий струм стоку становить 16 А, а опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 37 мОм. Максимальна потужність розсіювання визначена на рівні 20 Вт.

Конструкція та монтаж

Компонент виготовлений за технологією EETMOS3 та має поверхневий тип монтажу. Корпус FB (TO252AA) забезпечує компактне розміщення на платі. Транзистор є уніполярним з каналом збагачення.

Додаткові характеристики та комплектація

Компонент має імпульсний струм стоку 48 А та заряд затвора 17 нКл. У комплекті поставляється 50 шт. транзисторів.