Транзистор NEXPERIA NX2301P,215 — це польовий P-MOSFET у корпусі SOT23. Комплект складається з 90 одиниць.
- Тип транзистора: Польовий (P-MOSFET)
- Корпус: SOT23, TO236AB
- Максимальна потужність: 0,4 Вт
- Напруга затвор-витік: 8 В
- Опір у відкритому стані: 270 мОм
- Кількість у комплекті: 90 шт.
Електричні параметри
Пристрій є польовим транзистором з каналом збагачення. Максимальна потужність розсіювання становить 0,4 Вт. Максимально допустима напруга затвор-витік дорівнює 8 В. Опір у відкритому стані (Rds) — 270 мОм.
Конструкція та монтаж
Транзистор виготовлений у корпусі SOT23 (TO236AB). Тип монтажу — поверхневий (SMD). Поляризація транзистора — уніполярна.
Комплектація
У комплекті постачається 90 шт. транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 0.4 Вт |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 270 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 90 шт. |
| Корпус | SOT23, TO236AB |
| Виробник | NEXPERIA |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 040 ₴

