Транзистор P-MOSFET ONSEMI NVR5124PLT1G, -60 В, -0,67 А, 0,19 Вт, SOT23 (набір 30 шт.)
1 870 ₴
- В наявності
- Код: TM205101
Транзистор P-MOSFET ONSEMI NVR5124PLT1G, -60 В, -0,67 А, 0,19 Вт, SOT23 (набір 30 шт.)В наявності
1 870 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Польовий транзистор P-MOSFET ONSEMI NVR5124PLT1G у корпусі SOT23 з поверхневим монтажем (SMD). Транзистор уніполярний, тип каналу — збагачений. У наборі 30 шт.
- Тип: P-MOSFET, уніполярний
- Напруга стік-витік: -60 В
- Струм стоку: -0,67 А
- Потужність розсіювання: 0,19 Вт
- Опір у відкритому стані: 0,23 Ом
- Корпус: SOT23 (SMD)
Електричні параметри
Напруга стік-витік — -60 В, струм стоку — -0,67 А, максимальна потужність розсіювання — 0,19 Вт. Напруга затвор-витік — ±20 В. Опір у відкритому стані — 0,23 Ом.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.19 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 230 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | SOT23 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 870 ₴