Транзистор N-MOSFET ONSEMI NVMFS5C638NLT1G, 60 В, 133 А, DFN5 (набір 10 шт.)

N-MOSFET транзистор ONSEMI NVMFS5C638NLT1G у корпусі DFN5. Пристрій має максимальну напругу стік-витік 60 В та струм стоку 133 А. У комплекті поставляється 10 одиниць.

• Тип транзистора: N-MOSFET (польовий)
• Максимальна напруга стік-витік: 60 В
• Максимальний струм стоку: 133 А
• Потужність розсіювання: 50 Вт
• Корпус: DFN5 (поверхневий монтаж)
• Кількість у комплекті: 10 шт.

Електричні параметри

Транзистор є польовим (MOSFET) з каналом типу «wzbogacany» (збагачуваний). Максимально допустима напруга стік-витік становить 60 В, а напруга затвор-витік — 20 В. Максимальний постійний струм стоку дорівнює 133 А, при цьому імпульсний струм може досягати 811 А. Опір у відкритому стані (Rds) — 3 мОм.

Потужність та конструкція

Максимальна потужність розсіювання транзистора — 50 Вт. Прилад виконаний у поверхневому корпусі DFN5. Заряд затвора становить 40,7 нКл.

Полярність та тип каналу

Транзистор є уніполярним (polaryzacja: unipolarny) з каналом типу «wzbogacany» (збагачуваний). Ці характеристики визначають принцип роботи пристрою та його поведінку в електричних колах.