Транзистор P-MOSFET ONSEMI NVGS5120PT1G, -60В, -2,9А, TSOP6 (20 шт.)
2 400 ₴
- В наявності
- Код: TM205099
Транзистор P-MOSFET ONSEMI NVGS5120PT1G, -60В, -2,9А, TSOP6 (20 шт.)В наявності
2 400 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор P-MOSFET ONSEMI NVGS5120PT1G у корпусі TSOP6. Це польовий транзистор із максимальним струмом -2,9 А та напругою -60 В.
- Тип транзистора: P-MOSFET (польовий)
- Максимальний струм: -2,9 А
- Максимальна напруга: -60 В
- Потужність розсіювання: 1,1 Вт
- Корпус: TSOP6 (поверхневий монтаж)
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Електричні параметри
Максимальна потужність розсіювання становить 1,1 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 111 мОм. Максимально допустима напруга затвор-витік — 20 В. Максимальний струм у імпульсі (Idm) — -20 А. Заряд затвора становить 18,1 нКл.
Конструкція та монтаж
Тип монтажу — поверхневий. Корпус — TSOP6. Полярність — уніполярна, канал збагачуваний.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 1.1 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 111 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | TSOP6 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 400 ₴