Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTTFS4C08NTAG, 30 В, 52 А, WDFN8 (60 шт.)
2 170 ₴
- В наявності
- Код: TM205082
Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTTFS4C08NTAG, 30 В, 52 А, WDFN8 (60 шт.)В наявності
2 170 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET виробництва ONSEMI, модель NTTFS4C08NTAG. Призначений для поверхневого монтажу у корпусі WDFN8. У комплекті 60 штук.
- Тип транзистора: N-MOSFET (польовий)
- Максимальна напруга стік-витік: 30 В
- Максимальний струм стоку: 52 А
- Потужність розсіювання: 25.5 Вт
- Корпус: WDFN8
- Кількість у комплекті: 60 шт.
Електричні параметри
Максимальна напруга стік-витік становить 30 В, а напруга затвор-витік — 20 В. Максимально допустимий струм стоку дорівнює 52 А. Опір у відкритому стані (Rds) — 5.9 мОм.
Потужність та корпус
Максимальна потужність розсіювання — 25.5 Вт. Транзистор має польовий тип та уніполярну поляризацію. Корпус: WDFN8. Тип монтажу: поверхневий. Поляризація: уніполярна. Рід каналу: збагачуваний (wzbogacany). Заряд затвора: 18.2 нКл. Імпульсний струм стоку: 144 А.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 25.5 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 52 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 5.9 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 60 шт. |
| Корпус | WDFN8 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 170 ₴