Транзистор P-MOSFET ONSEMI NTS4173PT1G, набір 80 шт., SOT323

Транзистор P-MOSFET ONSEMI NTS4173PT1G — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для поверхневого монтажу. Модель має максимальну напругу затвор-витік 12 В та розсіювану потужність 0,29 Вт.

• Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний
• Корпус: SC70, SOT323 (поверхневий монтаж)
• Максимальна напруга затвор-витік: 12 В
• Опір у відкритому стані (Rds): 150 мОм
• Максимальна потужність розсіювання: 0,29 Вт
• Кількість у комплекті: 80 шт.

Електричні параметри

Транзистор працює з напругою затвор-витік до 12 В та витримує імпульсний струм стоку до -5 А. Опір у відкритому стані (Rds) становить 150 мОм. Максимальна потужність розсіювання обмежена значенням 0,29 Вт.

Конструкція та монтаж

Компонент виконаний у корпусі SC70 (SOT323). Тип монтажу — поверхневий (SMD). Поляризація транзистора — уніполярна, канал типу «збагачуваний».

Комплектація та додаткові параметри

У наборі постачається 80 одиниць транзисторів.