Транзистор NTS2101PT1G ONSEMI P-MOSFET, корпус SOT323, комплект 50 шт.
2 300 ₴
- В наявності
- Код: TM205080
Транзистор NTS2101PT1G ONSEMI P-MOSFET, корпус SOT323, комплект 50 шт.В наявності
2 300 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор NTS2101PT1G від бренду ONSEMI — це польовий транзистор типу P-MOSFET у поверхневому корпусі SC70/SOT323. Прилад має максимальну напругу затвор-витік 8 В. У комплекті поставляється 50 одиниць.
- Тип транзистора: P-MOSFET, польовий
- Корпус: SC70 / SOT323
- Максимальна напруга затвор-витік: 8 В
- Опір у відкритому стані (Rds): 100 мОм
- Кількість у комплекті: 50 шт.
Електричні параметри
Транзистор є польовим (MOSFET) з каналом типу P та режимом збагачення (enhancement mode). Максимально допустима напруга між затвором та витоком становить 8 В. Опір у відкритому стані (Rds) — 100 мОм.
Конструкція та монтаж
Компонент виконаний у корпусі SC70, також відомому як SOT323. Тип монтажу — поверхневий (SMD). Максимальна потужність розсіювання становить 0,29 Вт.
Комплектація
У наборі міститься 50 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.29 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 8 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 100 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 50 шт. |
| Корпус | SC70, SOT323 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 300 ₴