Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTR5103NT1G, 60В, 0,31А, SOT23 (набір 100 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTR5103NT1G — це польовий транзистор з каналом типу n у корпусі SOT23. Прилад розрахований на максимальну напругу стік-витік 60 В та струм стоку 0,31 А.

• Тип транзистора: польовий N-MOSFET
• Максимальна напруга стік-витік: 60 В
• Максимальний струм стоку: 0,31 А
• Потужність розсіювання: 0,42 Вт
• Корпус: SOT23, поверхневий монтаж
• Кількість у комплекті: 100 шт.

Електричні параметри

Максимально допустима напруга стік-витік становить 60 В, а напруга затвор-витік — 30 В. Максимальний струм стоку дорівнює 0,31 А. Потужність розсіювання обмежена значенням 0,42 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) складає 3000 мОм.

Конструкція та монтаж

Транзистор виконаний у поверхневому монтажі (SMD) у корпусі SOT23. Тип монтажу — поверхневий. Канал транзистора — збагачуваний (wzbogacany), полярність — уніполярна.

Електричні параметри затвора та каналу

Заряд затвора становить 0,81 нКл. Канал транзистора — збагачуваний, полярність — уніполярна. У наборі постачається 100 штук транзисторів.