Транзистор P-MOSFET ONSEMI NTE4151PT1G, -20 В, -0,76 А, 313 мВт, SC89, SMD (набір 150 шт.)
2 390 ₴
- В наявності
- Код: TM205068
Транзистор P-MOSFET ONSEMI NTE4151PT1G, -20 В, -0,76 А, 313 мВт, SC89, SMD (набір 150 шт.)В наявності
2 390 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Польовий транзистор P-MOSFET ONSEMI NTE4151PT1G для поверхневого монтажу (SMD) у корпусі SC89. Напруга стік-витік — -20 В, струм стоку — -0,76 А, розсіювана потужність — 313 мВт. У наборі 150 шт.
- Напруга стік-витік: -20 В
- Струм стоку: -0,76 А
- Розсіювана потужність: 313 мВт
- Опір у відкритому стані: 1 Ом
- Корпус: SC89 (SMD)
- Кількість у наборі: 150 шт.
Електричні параметри
Напруга затвор-витік — ±6 В. Опір у відкритому стані — 1 Ом. Заряд затвора — 2,1 нКл. Полярність — уніполярний, тип каналу — збагачений.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.313 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 6 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 1000 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 150 шт. |
| Корпус | SC89 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 390 ₴