Транзистор польовий N-MOSFET SiC NEXPERIA NSF040120L3A0Q, 1,2 кВ, 46 А, 313 Вт, TO247-3
1 940 ₴
- В наявності
- Код: TM204985
Транзистор польовий N-MOSFET SiC NEXPERIA NSF040120L3A0Q, 1,2 кВ, 46 А, 313 Вт, TO247-3В наявності
1 940 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Польовий транзистор N-MOSFET NEXPERIA NSF040120L3A0Q, виготовлений за технологією SiC (карбід кремнію). Напруга стік-витік — 1,2 кВ, струм стоку — 46 А, розсіювана потужність — 313 Вт.
- Напруга стік-витік: 1,2 кВ
- Струм стоку: 46 А
- Імпульсний струм стоку: 160 А
- Розсіювана потужність: 313 Вт
- Опір у відкритому стані: 60 мОм
- Корпус: TO247-3 (THT)
Електричні параметри
Імпульсний струм стоку (Idm) — 160 А. Опір у відкритому стані — 60 мОм. Максимально допустима напруга затвор-витік — 22 В. Заряд затвора — 95 нКл. Полярність — уніполярний, тип каналу — збагачений.
Корпус і монтаж
Корпус — TO247-3, монтаж — THT (у наскрізні отвори плати).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 313 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 22 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 46 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 60 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Корпус | TO247-3 |
| Виробник | NEXPERIA |
| Технологія | SiC |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 940 ₴