Транзистор N-MOSFET ONSEMI NDP6060L, 60В, 48А, 100Вт, TO220AB (набір 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET від бренду ONSEMI, модель NDP6060L. Це польовий транзистор з каналом збагачення, розрахований на максимальну напругу стік-витік 60 В та струм стоку 48 А. Потужність розсіювання становить 100 Вт, корпус — TO220AB.

• Тип транзистора: N-MOSFET (польовий)
• Максимальна напруга стік-витік: 60 В
• Максимальний струм стоку: 48 А
• Потужність розсіювання: 100 Вт
• Опір у відкритому стані (Rds): 40 мОм
• Корпус: TO220AB
• Кількість у комплекті: 10 шт.

Електричні параметри

Транзистор має максимальну напругу стік-витік 60 В та максимально допустимий струм стоку 48 А. Максимальна потужність розсіювання дорівнює 100 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) становить 40 мОм. Максимально допустима напруга затвор-витік — 16 В.

Конструкція та монтаж

Виріб виконаний у корпусі TO220AB. Тип монтажу — вставний (THT). Транзистор є однополярним (unipolar) з каналом збагачення (enhancement mode). Заряд затвора становить 60 нКл.

Комплектація

У наборі 10 транзисторів.