
Драйвер затвора ONSEMI NCP5181DR2G, півміст IGBT/MOSFET, 2 канали, SO8 (набір 20 шт.)
2 850 ₴
- В наявності
- Код: TM204949
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Інтегральна мікросхема ONSEMI NCP5181DR2G — драйвер затвора типу high-side / low-side із 2 каналами, топологія — півміст IGBT, півміст MOSFET. Корпус SO8, монтаж — SMD. У наборі 20 шт.
- Тип: драйвер затвора
- Топологія: півміст IGBT, півміст MOSFET
- Кількість каналів: 2
- Напруга живлення: від 10 до 20 В DC
- Клас напруги: 600 В
- Кількість у наборі: 20 шт.
Електричні параметри
Напруга живлення — від 10 до 20 В DC. Вихідний струм — від -2,2 до 1,4 А. Клас напруги — 600 В. Захист — від зниженої напруги (UVP). Час наростання імпульсу — 60 нс, час спаду імпульсу — 40 нс.
Умови експлуатації
Робоча температура — від -40 до +125 °C.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Кількість в упаковці | 20 шт. |
| Кількість каналів | 2 |
| Тип корпусу | SO8 |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Вихідний струм | -2.2–1.4 А |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Напруга живлення | 10...20 В DC |
| Робоча температура | -40–125 °C |
| Стан | Нове |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 850 ₴
