Транзистор NPN ONSEMI MMUN2211LT1G — це біполярний компонент із вбудованими резисторами (BRT) у корпусі SOT23. Пакет містить 90 одиниць.
- Напруга колектор-емітер: 50 В
- Струм колектора: 0,1 А
- Потужність розсіювання: 0,246 Вт
- Корпус SOT23 (TO236AB) для SMD монтажу
- Вбудовані резистори: база 10 кОм, емітер-база 10 кОм
- Набір із 90 транзисторів
Технічні параметри
Компонент розрахований на напругу колектор-емітер 50 В та струм колектора 0,1 А. Потужність розсіювання становить 0,246 Вт, а коефіцієнт підсилення за струмом — у діапазоні 35...60.
Вбудовані резистори
Тип BRT означає наявність вбудованих резисторів: база 10 кОм та емітер-база 10 кОм. Резистори інтегровані в корпус.
Корпус та монтаж
Транзистор виконаний у корпусі SOT23 (TO236AB) для поверхневого монтажу (SMD).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.246 Вт |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 50 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 0.1 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Біполярний |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 90 шт. |
| Корпус | SOT23, TO236AB |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 880 ₴

