Транзистор N-MOSFET x2 IXYS MMIX2F60N50P3, 500 В, 30 А, 320 Вт, SMPD
3 310 ₴
- В наявності
- Код: TM204808
Транзистор N-MOSFET x2 IXYS MMIX2F60N50P3, 500 В, 30 А, 320 Вт, SMPDВ наявності
3 310 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор IXYS MMIX2F60N50P3 типу N-MOSFET x2 (два транзистори), технології HiPerFET™ і Polar3™, уніполярний. Напруга стік-витік — 500 В, струм стоку — 30 А. Корпус SMPD, монтаж SMD.
- Тип: N-MOSFET x2
- Напруга стік-витік: 500 В
- Струм стоку: 30 А
- Імпульсний струм стоку: 150 А
- Потужність розсіювання: 320 Вт
- Корпус: SMPD
Електричні параметри
Імпульсний струм стоку — 150 А. Потужність розсіювання — 320 Вт. Опір у відкритому стані — 0,12 Ом. Напруга затвор-витік — ±30 В. Заряд затвора — 96 нКл.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Максимальна потужність розсіювання | 320 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 500 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 30 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 120 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Час готовності | 250 нс |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Корпус | SMPD |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 310 ₴